硅光 1.0
本质与底层遗产
硅光 1.5
局部补丁式试探
薄膜铌酸锂 TFLN
解决高带宽调制器功耗与线性度瓶颈
体积庞大 · 集成密度极低
WDM 微环 MRM
波分复用提升密度
依赖片外激光器 · 温控复杂
量子点激光器
片上光源生成
未消除 SerDes 功耗与热漂移
硅光 2.0
终局演进：系统级架构革命
GaN MicroLED
原生光源
Si APD
高灵敏接收
⚡
WAS 架构
Wide & Slow
1-4 Gbps / 通道
自给自足光源
无需外部 ELS
片上集成 MicroLED
片上集成 MicroLED
极致空间密度
微米级 Pitch 阵列
高位宽并行通道
高位宽并行通道
双产业链匹配
GaN + Si 产能
成本降维
成本降维
经验红利复用
显示/CIS 封装经验
万通道并行控制
万通道并行控制
高性能链路
Si-APD 10Gbps 级
高增益灵敏度
高增益灵敏度
消灭 SerDes
Direct-Drive
纳秒级时延
纳秒级时延
硅光 2.0 核心指标
<1
pJ/bit 功耗
25.6T
模组总带宽
51.2T
下一代目标
"硅光 1.5 是在单通道高速率（Short & Fast）的物理死角里做局部修正；
而硅光 2.0 则是通过异质集成与 WAS 范式的全面融合，
开启『高密度、免 SerDes、无热控』的大规模并行光互联新纪元。"
而硅光 2.0 则是通过异质集成与 WAS 范式的全面融合，
开启『高密度、免 SerDes、无热控』的大规模并行光互联新纪元。"