以MicroLED大规模并行重塑AI算力中心互联底座
GaN MicroLED
原生光源
Si APD
高灵敏接收
⚡
WAS 架构
Wide & Slow
1-4 Gbps / 通道
自给自足光源
无需外部 ELS
片上集成 MicroLED
片上集成 MicroLED
极致空间密度
微米级 Pitch 阵列
高位宽并行通道
高位宽并行通道
双产业链匹配
GaN + Si 产能
成本降维
成本降维
经验红利复用
显示/CIS 封装经验
万通道并行控制
万通道并行控制
高性能链路
Si-APD 10Gbps 级
高增益灵敏度
高增益灵敏度
消灭 SerDes
Direct-Drive
纳秒级时延
纳秒级时延
<1
pJ/bit 功耗
51.2T
模组总带宽
10
Tbps/mm²
开启『高密度、免 SerDes、无热控』的大规模并行光互联新纪元。